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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Confronto
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
46
Intorno -10% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
42
Velocità di lettura, GB/s
15.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.8
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2936
2597
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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