Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 21300
    Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 60
    Intorno -131% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.8 left arrow 14.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.5 left arrow 12.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    60 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 13.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2511 left arrow 2880
RAM Latency Calculator
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