RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de -131% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2511
2880
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5431-004.A00LF 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link