RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
60
Около -131% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2511
2880
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link