Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 35
    Intorno -3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    19.9 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 10.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.5 left arrow 19.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.3 left arrow 13.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2155 left arrow 3271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti