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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
総合得点
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
総合得点
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
35
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.9
13.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.9
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
17000
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
34
読み出し速度、GB/s
13.5
19.9
書き込み速度、GB/秒
10.3
13.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
25600
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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