RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сравнить
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
19.9
Скорость записи, Гб/сек
10.3
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2155
3271
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link