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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Confronto
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
14.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
63
Velocità di lettura, GB/s
14.9
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
2061
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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