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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

総合得点
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

総合得点
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 63
    周辺 62% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.8
    テスト平均値
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 14.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2196 left arrow 2061

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAMの比較

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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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