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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Pontuação geral
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 63
    Por volta de 62% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.6 left arrow 8.8
    Valor médio nos testes
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Razões a considerar
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17 left arrow 14.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 63
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 17.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.6 left arrow 8.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2196 left arrow 2061

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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