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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
26
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3692
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
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