RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3692
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link