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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3692
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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