RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
28
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3316
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link