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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
28
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
3316
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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