RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
39
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2159
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link