RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2159
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link