RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2159
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link