RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2659
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link