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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
11.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2382
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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