RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2382
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link