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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
60
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
4.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
60
Velocità di lettura, GB/s
12.2
6.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
1400
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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