RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
47
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
35
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2933
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Inmos + 256MB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link