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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
11.8
16.7
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2933
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
UMAX Technology 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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