RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
12.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3475
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link