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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.0
18.5
写入速度,GB/s
7.8
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3475
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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