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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2856
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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