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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
9.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
45
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
37
Velocità di lettura, GB/s
12.0
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2229
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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