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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
71
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
71
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
1986
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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