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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
71
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
71
读取速度,GB/s
12.0
15.5
写入速度,GB/s
7.8
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1986
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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