RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 71
    周辺 37% 低遅延
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 1986

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
メモリRAM