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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
28
Velocità di lettura, GB/s
13.0
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
3454
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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