RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
44
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
30
Velocità di lettura, GB/s
13.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
3837
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link