RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
44
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
24
Velocità di lettura, GB/s
13.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
3158
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link