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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
13.0
18.4
写入速度,GB/s
8.2
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
3158
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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