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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
12.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
44
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
27
Velocità di lettura, GB/s
13.0
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
2536
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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