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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
43
Velocità di lettura, GB/s
13.0
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
2058
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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