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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
43
读取速度,GB/s
13.0
13.9
写入速度,GB/s
8.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2058
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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