RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
71
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
71
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1866
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link