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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
45
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
19
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3691
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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