RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
45
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3009
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HC5B-AC 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Catalyst 01GN80KFUA8 1GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link