RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
45
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
20
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3172
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link