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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
4065
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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