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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3491
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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