RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3477
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link