RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3385
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link