RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3495
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link