RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2051
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link