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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3680
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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