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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
45
Intorno -165% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
17
Velocità di lettura, GB/s
12.3
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3623
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
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Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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